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c、国光不同厚度Fe3GeTe2的剩余反常霍尔电阻与温度的关系。b、纤收单层Fe3GeTe2的原子结构示意图。

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d、出炉同一样品透过631nm滤片的光学衬度照片。年中CrI3块材是层状Ising铁磁体,铁磁转变温度为61K,易磁化轴朝面外。

双层样品的饱和磁化强度为40±10mrad，国光比单层样品的信号强度大一个量级，但要稍小于三层样品的信号强度。

纤收图4 通过离子门电压调节Fe3GeTe2纳米片的铁磁性。随后开发了回归模型来预测铜基、发器铁基和低温转变化合物等各种材料的Tc值，发器同样取得了较好结果，利用AFLOW在线存储库中的材料数据，他们进一步提高了这些模型的准确性。

另外7个模型为回归模型，大上榜上篇预测绝缘体材料的带隙能（EBG），大上榜上篇体积模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜温度（θD），定压热容（CP），定容热容（Cv）以及热扩散系数（αv）。品牌（f,g）靠近表面显示切换过程的特写镜头。

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